我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI18N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STI18N65M5正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh V技术的650V N沟道MOSFET，能轻松处理高达15A的连续电流，其优异的电气特性旨在为您大幅提升系统能效。

它通过极低的导通电阻（Rds(on)）最大限度地减少传导损耗，配合优化的栅极电荷实现快速开关，从而显著降低整体功率损耗。这让您的电源、电机驱动或逆变器设计不仅运行更高效、更凉爽，还能在更宽的温度范围内稳定工作，有效提升最终产品的可靠性和市场竞争力。

• 型号:STI18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。