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还在为高压小功率开关电路寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？STU1HN60K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和1.2A的电流处理能力，能轻松应对反激式转换器、功率因数校正（PFC）以及LED照明驱动等应用中的严苛挑战。

它卓越的电气参数是您设计成功的基石：极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少；而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关速度，有效降低开关损耗。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代紧凑型电源，STU1HN60K3都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，实现性能的飞跃。

• 型号:STU1HN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU1HN60K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。