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您正在为提升系统功率密度和效率而寻找核心器件吗？意法半导体的STGWA30IH65DF IGBT，正是为您的高要求应用量身打造。它采用先进的沟槽型场截止技术，在650V的高压平台上，实现了低至2.05V的导通压降和优化的开关性能，能显著降低系统运行中的能量损耗。

这颗芯片能让您轻松应对高达60A的持续电流，峰值能力更达90A，确保您的电机驱动、UPS或光伏逆变器在面对负载冲击时依然强劲稳定。其卓越的热性能（最高结温175°C）与经典的TO-247封装相结合，让您的散热设计更高效，产品可靠性全面提升，助您快速构建具有市场竞争力的高性能电源解决方案。

• 型号:STGWA30IH65DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:180 W
• 开关能量:123J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/200ns
• 测试条件:400V，30A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA30IH65DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。