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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STL12N65M2正是为您而来的利器。这颗采用意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有高达650V的漏源电压和仅5A（Tc）下的750毫欧超低导通电阻，能显著降低您的电源模块在导通状态下的能量损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性，如低至12.5nC的栅极电荷，让您轻松实现高速开关，有效提升电源频率，从而减小变压器和滤波元件的体积，助力您的产品设计更加紧凑。其坚固的PowerFlat HV封装确保了出色的散热能力和功率密度，配合-55°C至150°C的宽广工作结温，让您的设备无惧严苛环境挑战，可靠性大幅提升。

• 型号:STL12N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL12N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。