我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU16N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压重担，同时保持冷静高效的功率开关吗？STU16N65M5正是为您而来。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅299毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它通过优化栅极电荷和电容特性，实现了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您轻松驾驭高频设计，提升整体功率密度。无论是提升现有方案的效率，还是开发新一代高性能产品，STU16N65M5都能以卓越的电气性能和150°C的高结温工作能力，为您的设计提供坚实可靠的动力核心，助您高效达成设计目标。

• 型号:STU16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。