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零件图片（仅供参考）
STGB30H65DFB2
规格参数
  • 制造商产品型号：STGB30H65DFB2
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：HB2
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：90A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：167W
  • 开关能量：270J（开），310J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：90nC
  • 25°C时Td（开/关）值：18.4ns/71ns
  • 测试条件：400V，30A，6.8 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：115ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-4，DPak（3 引线 + 接片），TO-263AA
  • STGB30H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGB30H65DFB2
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGB30H65DFB2的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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