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您正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率、同时保持卓越可靠性的核心功率器件吗？STGB30H65DFB2正是为您而来的解决方案。它集成了650V耐压、50A高电流能力和先进的沟槽型场截止技术，旨在让您的设计轻松实现更低的导通损耗与开关损耗。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的变频器、UPS或太阳能逆变器运行得更凉爽、更高效。其2.1V的低Vce(on)意味着更少的能量浪费，而优化的开关特性（开/关能量仅270J/310J）支持更高频率工作，从而帮助您减小磁性元件体积，降低系统整体成本与尺寸。选择它，就是为您的下一代高功率密度设计注入一颗强劲而可靠的“芯”。

• 型号:STGB30H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:270J（导通），310J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:90 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns
• 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):115 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
• 供应商器件封装:D2PAK-3
• STGB30H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。