我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP60NE06-16现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率开关的效率和发热问题烦恼吗？STP60NE06-16就是您的高效解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的16毫欧导通电阻。这意味着在电机驱动或电源转换中，它能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效显著提升。

它采用坚固的TO-220AB封装，散热能力出众，可承受150W的功率耗散，结温高达175°C，确保在严苛环境下稳定工作。无论是用于控制大功率负载的开关，还是构建高效的DC-DC转换器，它都能让您轻松实现强大、可靠的功率控制，简化您的设计挑战。

• 型号:STP60NE06-16
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60NE06-16，ST（意法半导体）产品一站式供应商。