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还在为高压应用的功率开关选型而烦恼吗？STU12N65M5正是为您解决这一难题的得力助手。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有650V的高耐压和8.5A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，轻松应对高压挑战，确保系统稳定可靠地运行。

它采用了先进的MDmesh V技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至430毫欧，栅极电荷也仅为22nC。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效，减少发热。其坚固的I-PAK通孔封装和高达70W的功率耗散能力，更能让您的设计在高温环境下依然保持高效输出，简化您的散热设计，助您打造更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STU12N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU12N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。