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您正在设计需要处理大电流的电源或电机驱动方案吗？STV160NF03LT4正是为您而来的得力干将。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达160A的电流承载能力，其核心魅力在于仅2.8毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用中，它能将导通损耗降至极低，让电能更高效地传递，显著减少发热，从而让您的系统运行更凉爽、更稳定。

同时，它具备优异的开关特性，栅极电荷和输入电容经过优化，让您的驱动电路设计更简单，轻松实现快速、干净的开关动作，进一步提升整体效率。无论是用于同步整流、电机控制还是大电流开关，STV160NF03LT4都能以强大的性能和可靠的品质，助您轻松构建高效、紧凑且耐用的电源与动力系统。

• 型号:STV160NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV160NF03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。