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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和简化设计需求的功率开关吗？STD120N4LF6就是您的理想答案。这颗来自意法半导体的40V/80A N沟道MOSFET，凭借其低至4毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和续航能力。

它内置的先进STripFET VI技术，优化了开关特性，帮助您轻松实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小的磁性元件，有效缩小整体方案体积。同时，其符合AEC-Q101标准的车规级品质，确保了从-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作，为您面向汽车、工业等严苛应用的设计提供了坚实的可靠性基石。选择STD120N4LF6，就是选择了一条通往更高性能、更紧凑设计和更强市场竞争力的捷径。

• 型号:STD120N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD120N4LF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。