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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STU10NM60N正是为您而生的解决方案。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和10A的连续电流能力，其核心价值在于让您轻松实现更低的能量损耗。仅550毫欧的低导通电阻与19nC的低栅极电荷相结合，显著降低了导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它不仅能承受高达70W的功率耗散，更能在-55°C至150°C的严酷结温范围内稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。无论是用于开关电源、照明镇流器还是电机控制，STU10NM60N都能以卓越的性能，简化您的热设计，提升整体能效，助您打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STU10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU10NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。