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STK820 零件图片(仅供参考)

STK820
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STK820 规格参数

还在寻找一颗能同时征服效率与空间挑战的功率开关吗?STK820正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET,拥有25V耐压和高达21A的连续电流处理能力,让您轻松驾驭各类低压大电流的电源转换与电机驱动任务。

它的核心魅力在于极致的效率。仅7.3毫欧的超低导通电阻(RdsOn)和低至4.5V的驱动电压,能显著降低开关过程中的功率损耗,为您带来更清凉的运行温度和更高的系统能效。独特的PolarPak封装不仅确保了出色的散热性能,其表面贴装形式也让您的PCB布局更加紧凑高效。

总而言之,STK820是一款旨在让您的设计更高效、更紧凑、更可靠的功率器件。无论是提升现有产品性能,还是开发新一代高密度电源,它都能成为您值得信赖的伙伴。

  • 型号:STK820
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PolarPak
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.3 毫欧 @ 10.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):9.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1425 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):5.2W(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PolarPak
  • 封装/外壳:PolarPak
  • STK820,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STK820 基本参数:

  • 电子零件型号:STK820
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STK820的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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