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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？让STT3PF20V来为您实现。这颗芯片能轻松胜任高达2.2A的电流开关任务，其低至200毫欧的导通电阻（@4.5V, 1A）能显著减少功率损耗，提升您的系统整体能效。

凭借2.7V的低开启电压和SOT-23-6的超紧凑封装，它让您的电源管理、负载开关或电机驱动设计变得更加简洁高效。无论是用于电池供电设备的功率路径控制，还是需要高可靠性开关的工业模块，它都能稳定工作在-55°C至150°C的宽广温度范围内，为您提供坚实可靠的性能保障。

• 型号:STT3PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT3PF20V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。