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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关？STD90N4F3正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅6.5毫欧，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用ST先进的STripFET III技术，具备快速开关特性（栅极电荷仅54nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）。这意味着它能让您轻松应对高频率开关需求，并在恶劣环境下稳定工作。无论是用于提升工业设备的能效，还是优化消费电子的功率密度，它都是值得您信赖的强力核心。

• 型号:STD90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD90N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。