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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高功率应用，同时保持极高效率和可靠性的核心开关器件吗？STF20N90K5正是您的理想之选。这颗N沟道高压MOSFET拥有900V的漏源击穿电压和20A的连续电流能力，基于意法半导体先进的MDmesh K5技术，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计运行得更凉爽、更高效。

它凭借仅250毫欧的低导通电阻和优化的动态参数，让您轻松实现更快的开关速度、更简化的驱动设计以及更优异的电磁兼容性。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的能源效率，STF20N90K5都能提供坚固耐用的高性能表现，是提升产品竞争力的关键组件。

• 型号:STF20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。