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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的汽车级功率开关吗？STL52DN4LF7AG正是您期待的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其低至16毫欧的导通电阻和高达18A的电流处理能力，能显著降低系统导通损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛的汽车环境打造，符合AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端条件下依然稳定可靠。其优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现快速切换，提升整体系统响应速度。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的‘心脏’。

• 型号:STL52DN4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 25V
• 功率 - 最大值:65W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL52DN4LF7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。