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还在为寻找一颗在紧凑空间内也能高效工作的功率开关而烦恼吗？STS9NH3LL正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有30V/9A的稳健规格，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅22毫欧@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对空间限制，其8-SO封装非常适合高密度PCB设计。同时，优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关性能，有助于提升系统整体频率与响应速度。无论是用于提升能效还是简化散热设计，STS9NH3LL都能以出色的电气性能，助您一臂之力，轻松构建更可靠、更具竞争力的电子产品。

• 型号:STS9NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS9NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。