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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和低损耗的“能量开关”吗？STB22NM60N正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固防线和16A的强大通流能力，让您的电源或电机驱动设计底气十足。

它的核心魅力在于卓越的效率。仅220毫欧的超低导通电阻，意味着电流通过时的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的发热和更高的系统能效。同时，优化的动态参数让开关过程干净利落，进一步减少损耗，让您的设备运行更安静、更凉爽。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STB22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB22NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。