我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB70NF03L-1现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能“扛大活”又“省能量”的功率开关吗？STB70NF03L-1正是您的理想之选！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有高达70A的电流处理能力，而其导通电阻最低仅9.5毫欧，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

它让您在设计高功率电源、电机驱动或负载开关时更加轻松。极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关动作，让您的控制响应更迅捷。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的I2PAK封装，赋予了它出色的可靠性与散热能力，助您构建更稳定、更耐用的高性能电子产品。

• 型号:STB70NF03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB70NF03L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。