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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效、可靠与紧凑的功率开关解决方案？STS7NF60L正是为此而生。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和7.5A的强劲电流处理能力，其超低的导通电阻（仅19.5毫欧）能显著减少开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它专为提升您的系统性能而设计。极低的栅极电荷确保了快速的开关切换，让您轻松实现更高频率的电路设计，从而缩小被动元件体积，优化整体布局。其坚固的构造和宽泛的工作温度范围（结温高达150°C），为您提供了充足的可靠性余量，确保产品在各种环境下稳定持久运行。选择STS7NF60L，就是选择让您的设计在效率、功率密度和可靠性上全面领先。

• 型号:STS7NF60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS7NF60L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。