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M58WR064ET70ZB6T 零件图片(仅供参考)

M58WR064ET70ZB6T
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M58WR064ET70ZB6T 规格参数

还在寻找一颗能高速、可靠地承载您核心代码的存储器吗?M58WR064ET70ZB6T正是您期待的答案。这颗64Mb并行NOR闪存芯片,能以高达66MHz的速度运行,并提供仅70ns的快速访问时间,确保您的处理器无需等待,实现流畅高效的代码执行与数据存取。

它采用紧凑的56-VFBGA封装,支持1.65V至2.2V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度,让您的设计能够轻松应对各种复杂环境与功耗要求。无论是工业控制、汽车电子还是通信设备,它都能成为您系统中稳定可靠的“记忆核心”。

  • 制造商产品型号:M58WR064ET70ZB6T
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66MHz
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.65V ~ 2.2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:56-VFBGA
  • M58WR064ET70ZB6T,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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M58WR064ET70ZB6T 基本参数:

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