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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题寻找答案吗？STL8N65M5就是为您准备的强大解决方案。这颗650V N沟道MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高能效和功率密度。

它拥有7A（Tc）的连续电流能力，结合低栅极电荷和优化的动态特性，确保开关过程快速、干净，有效减少电磁干扰。其坚固的PowerFLAT封装不仅节省空间，更能高效散热，助您构建更紧凑、更可靠的终端产品。选择它，就是为您的项目注入高效与稳定的基因。

• 型号:STL8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta），7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:14-PowerVQFN
• STL8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。