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还在为电路板空间紧张和驱动电路复杂而头疼吗？STS3C2F100为您提供了一站式解决方案！这颗芯片将N沟道和P沟道MOSFET巧妙集成于一个8-SOIC封装内，让您轻松实现紧凑的H桥或互补开关设计，大幅节省宝贵的PCB面积。

它采用先进的STripFET技术，具备145毫欧的低导通电阻和逻辑电平驱动能力，让您仅用微控制器的标准输出即可高效控制，显著降低开关损耗和驱动复杂度。无论是处理高达3A的连续电流，还是应对100V的电压环境，它都能稳定可靠地工作，助您构建出更高效、更精简的电源管理或电机驱动系统。

• 型号:STS3C2F100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS3C2F100，ST（意法半导体）产品一站式供应商。