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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流开关任务的N沟道MOSFET吗？STD38NH02LT4正是为您而来。它基于意法半导体先进的STripFET III技术，在仅24V的漏源电压下，能持续通过高达38A的电流，而其导通电阻最低可达13.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片拥有极低的栅极电荷（24nC @10V）和输入电容，这意味着它能实现快速、干净的开关动作，大幅提升系统频率和响应速度。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和40W的功率耗散能力，赋予了它应对各种严苛环境挑战的底气。采用标准的DPAK表面贴装封装，让您能轻松集成到高密度的PCB设计中，是实现紧凑、高效功率管理的理想选择。

• 型号:STD38NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD38NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。