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还在为功率转换中的效率损失和发热烦恼吗？让STL150N3LLH6为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您实现高效电能控制的得力助手。它能轻松处理高达150A的大电流，同时凭借低至2.4毫欧的超低导通电阻，大幅减少开关和传导损耗，直接为您提升系统能效，降低散热需求。

其紧凑的PowerFlat封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合高功率密度设计。无论是构建高效的同步整流电路、电机驱动模块，还是稳定的DC-DC电源，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更强劲。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠与高效。

• 型号:STL150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL150N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。