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您正在为寻找一颗能大幅提升电路效率、响应迅捷且易于驱动的双MOSFET而烦恼吗？STS2DNF30L正是为您而来的解决方案。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，凭借STripFET技术，能为您提供低至110毫欧的导通电阻和仅2.5V的低阈值开启电压。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其逻辑电平门控特性让您可以直接用微处理器的GPIO口轻松驱动，省去额外的电平转换电路，简化设计。同时，极低的栅极电荷确保了超快的开关速度，能显著降低高频应用中的开关损耗，让您的电源管理或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。选择STS2DNF30L，就是为您的产品选择了强劲、可靠的心脏。

• 型号:STS2DNF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:121pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS2DNF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。