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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？让STF30NM60ND为您带来颠覆性的改变。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和25A的电流处理能力，核心价值在于其卓越的FDmesh II技术，能将导通电阻显著降低至130毫欧，从而大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它能让您轻松实现快速开关。极低的栅极电荷意味着驱动它毫不费力，显著提升了开关速度，减少了开关损耗，特别适合高频工作场景。同时，坚固的TO-220FP封装和高达150°C的工作结温，确保了它在恶劣环境下依然稳定可靠，为您产品的长期耐用性保驾护航。选择它，就是为您的核心功率电路注入了高效与可靠的基因。

• 型号:STF30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。