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还在寻找一颗能轻松驾驭19A大电流、同时将导通损耗降至最低的功率开关吗？STS19N3LLH6正是为您而来的解决方案。它采用ST先进的STripFET VI技术，在30V的电压平台上，实现了仅5.6毫欧的超低导通电阻，让您的电源转换或电机驱动应用效率大幅提升，发热显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效、快速的功率切换。其优化的栅极特性（仅17nC的栅极电荷）意味着更低的驱动损耗和更高的工作频率潜力，非常适合空间紧凑、效率至上的现代电子设备。无论是同步整流、负载开关还是电机控制，STS19N3LLH6都能以卓越的电气性能和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），为您的设计注入强劲且可靠的核心动力。

• 型号:STS19N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS19N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。