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还在寻找那颗能平衡高耐压与高效率的“心脏”吗？STF3LN62K3正是为您而来。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，凭借620V的高压耐受能力和仅3欧姆的低导通电阻，能显著降低您电源电路中的传导损耗，让能量转换更加“丝滑”，直接提升整机效率。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率助推器。极低的栅极电荷特性让开关动作干净利落，大幅削减开关损耗，配合TO-220FP封装带来的优秀散热表现，确保您的设备在长时间高负荷运行下依然冷静稳定。无论是打造高效的电源适配器，还是设计可靠的LED照明驱动，它都能让您轻松实现高性能与高可靠性的设计目标，简化您的开发流程。

• 型号:STF3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3LN62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。