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还在寻找一颗能轻松驾驭30V电压、8A电流，同时保持极低损耗的功率开关吗？STL8NH3LL N沟道MOSFET就是为您准备的答案。它采用意法半导体先进的STripFET技术，导通电阻低至惊人的15毫欧，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器实现更高的效率，延长电池续航；能让您的电机驱动电路响应更迅捷，损耗更低。其紧凑的PowerFlat封装节省了宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的便携式设备和高度集成的模块。选择它，就是为您的设计选择了一份由高性能和可靠性带来的安心。

• 型号:STL8NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。