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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、让设计更简洁的功率开关吗？STS12NH3LL正是您的理想之选。这颗ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V/12A的强劲处理能力，其核心魅力在于超低的10.5毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它能让您轻松驾驭电机驱动、电源转换和负载开关等应用。快速的开关特性（栅极电荷仅12nC）意味着在高频电路中也能游刃有余，帮助您缩小整体方案尺寸。采用紧凑的8-SO封装，节省空间的同时，其坚固的设计确保在-55°C至150°C的严酷温度下稳定工作，为您的产品注入高效可靠的核心动力。

• 型号:STS12NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS12NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。