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还在寻找一颗能兼顾大电流与高效率的P沟道MOSFET吗？STS10P4LLF6就是您的理想答案。它基于STripFET F6技术打造，拥有40V耐压和10A的强劲电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅15毫欧。这意味着它能显著减少开关和导通时的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航与可靠性。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效的电源路径管理，无论是作为负载开关精准控制电源通断，还是在DC-DC转换器中担任同步整流角色，都能确保快速响应和最小能量损失。其紧凑的8-SO封装和优异的散热特性，尤其适合空间受限的便携设备、无人机或高密度电源模块设计，帮助您简化布局，提升整体性能。

• 型号:STS10P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3525 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS10P4LLF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。