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还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STL45N65M5正是为您而来的得力助手。它集成了ST先进的MDmesh V技术，以高达650V的耐压和22.5A的连续电流能力，让您轻松应对苛刻的功率开关挑战。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至86毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接将更高的效率转化为产品的核心竞争力。同时，其优化的动态参数有助于实现更快的开关速度和平滑的EMI表现。采用紧凑的PowerFLAT封装，它在节省宝贵PCB空间的同时，提供了出色的散热路径，让您的设计在追求高功率密度的道路上更加游刃有余。

• 型号:STL45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（8x8）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:86 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（8x8）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL45N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。