我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB55NF06LT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否希望为您的电源或电机控制项目找到一颗既能承载大电流，又能保持高效低温的“心脏”？STB55NF06LT4正是为此而来。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和高达55A的连续漏极电流承载能力，让您轻松驾驭高功率应用。

它的核心价值在于极低的导通电阻（仅18毫欧@10V）和优化的开关特性。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，直接提升您的系统效率，减少散热设计压力。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是负载开关，它都能让您的设备运行更高效、更可靠。

此外，其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在各种严苛环境下的长期稳定性。选择STB55NF06LT4，就是为您的产品选择了一份经得起考验的性能与安心。

• 型号:STB55NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB55NF06LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。