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还在为高压小功率开关电路的选择而犹豫吗？让STQ1HNK60R-AP来为您提供清晰而强大的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，集600V高压耐受与低至8.5欧姆的导通电阻于一身，能显著降低开关损耗，让您的电源或驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。仅需10V驱动电压即可实现高效导通，配合极低的栅极电荷，让驱动电路设计变得异常轻松，帮助您加快产品上市速度。无论是用于离线式转换器、LED照明，还是各类辅助电源，它都能以卓越的稳定性和高达150°C的结温工作能力，确保您的产品在各种环境下持久可靠地运行。

• 型号:STQ1HNK60R-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• STQ1HNK60R-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。