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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和超低损耗的功率MOSFET吗？STI28N60M2正是为您量身打造的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和22A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值150毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率提升器。优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让开关速度更快、损耗更小，您无需复杂的驱动电路就能轻松驾驭。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，STI28N60M2都能帮助您简化设计，提升产品功率密度和可靠性，最终让您的终端产品在性能和能效上脱颖而出。

• 型号:STI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI28N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。