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还在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的“硬核”开关吗？STP55NF06正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达50A的连续电流处理能力和低至18毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET II技术，开关速度快，栅极电荷低，让您轻松实现高频率的开关控制，提升系统整体响应与能效。其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保它在各种挑战性环境中稳定可靠，是您打造耐用、高性能产品的理想功率核心。

• 型号:STP55NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP55NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。