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还在为高压小功率开关电路寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？STQ1HN60K3-AP正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的击穿电压和400mA的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、LED驱动及各种离线式变换器中的核心开关任务。

它的卓越之处在于，在保证高压隔离安全性的同时，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其快速的开关特性简化了驱动设计，让您能够以更精简的电路，获得更稳定、更高效的性能输出，全面提升终端产品的市场吸引力。

• 型号:STQ1HN60K3-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ1HN60K3-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。