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还在为电源设计中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STD20P3H6AG为您带来焕然一新的体验！这颗采用先进STripFET F6技术的P沟道MOSFET，拥有低至50毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它不仅能轻松应对30V电压和20A电流的挑战，其优异的开关特性（低栅极电荷）更能让您实现高效的高频开关操作。无论是用于汽车电子中的负载开关、电机驱动，还是工业领域的电源管理，STD20P3H6AG凭借其汽车级（AEC-Q101）的可靠性和宽工作温度范围，都能确保稳定、持久的性能输出，助您轻松构建更强大、更可靠的应用方案。

• 制造商产品型号：STD20P3H6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 20A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：635pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
• STD20P3H6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。