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还在为功率转换电路寻找一颗可靠、高效的“开关”吗？STPLED627正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有620V的高耐压和7A的连续电流能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等高要求场景的电压冲击与电流负荷。

它最大的魅力在于其卓越的性能平衡：仅1.2欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效；同时，优化的栅极电荷特性让开关速度更快，损耗更低。采用坚固的TO-220封装，散热性能优异，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作。选择它，就是为您的设计注入了高效与可靠的双重保障。

• 制造商产品型号：STPLED627
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 7A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STPLED627，ST（意法半导体）产品一站式供应商。