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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？让STGWF30NC60S来为您破局！这颗来自意法半导体的600V/35A IGBT，集成了PowerMESH技术的精髓，旨在让您的设计事半功倍。

它能够轻松驾驭高达79W的功率，并以低至1.9V的导通压降（Vce(on)）运行，显著降低导通损耗，直接提升系统能效。其快速的开关特性（开启延迟仅21.5ns）与优化的栅极电荷（96nC），让您能够实现更高频率的开关设计，从而减小磁性元件体积，让您的产品更紧凑、更高效。无论是驱动电机、转换电源还是管理能量，它都是您实现高性能、高可靠性功率电路的理想选择。

• 型号:STGWF30NC60S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 35A 79W TO3P
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:79 W
• 开关能量:300J（导通），1.28mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:96 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:21.5ns/180ns
• 测试条件:480V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWF30NC60S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。