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您正在寻找一颗能轻松驾驭620V高压、同时保持高效开关动作的功率开关吗？STP3N62K3正是为您而来！这颗来自ST意法半导体SuperMESH3系列的N沟道MOSFET，拥有2.7A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅2.5欧姆）和极小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求。

这意味着，在您的开关电源、LED驱动或各种离线式变换器设计中，它能帮助您提升整体能效，减少热量产生，让系统运行更凉爽、更可靠。经典的TO-220AB封装让散热设计和安装变得轻而易举，助您快速实现从方案到产品的跨越。

• 型号:STP3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。