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还在为电源管理部分的效率瓶颈而烦恼吗？让STP95N04来为您破局！这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，能轻松担当起系统主功率开关的重任。

它的核心魅力在于极高的效率。其导通电阻低至惊人的6.5毫欧，配合优化的栅极电荷特性，能显著降低开关损耗和导通损耗。这意味着，在您的电机驱动、电源转换或负载开关应用中，它能将更多的电能高效输送，而非浪费在发热上，从而让您的系统运行更凉爽、更节能，整体性能表现更加稳定可靠。

• 型号:STP95N04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP95N04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。