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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时将能量损耗降至最低的功率开关吗？STD60NH03L-1正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅9毫欧。这意味着它能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

得益于STripFET III先进技术，它实现了栅极电荷与导通电阻的优异平衡。低至21nC的栅极电荷让开关速度更快，损耗更低，而宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）则确保了它在严苛环境下的稳定表现。无论是用于提升现有设计的能效，还是为高可靠性应用寻找核心部件，它都能让您的产品性能脱颖而出。

• 制造商产品型号：STD60NH03L-1
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET III
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STD60NH03L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。