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您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、扛起高电流开关重任的核心器件吗？STB16NF25正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达14.5A的连续电流处理能力，而其最耀眼之处在于仅4毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它采用表面贴装D2PAK封装，散热性能优异，易于在PCB上实现高功率密度设计。优化的栅极电荷和开关特性，让您能轻松实现高效、快速的功率切换，是DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块的理想心脏。选择STB16NF25，就是选择了一份经过验证的高效与可靠，让您的产品在性能上脱颖而出。

• 型号:STB16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4490 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。