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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？让STF8N60DM2为您带来改变。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源设计更高效、更可靠。它凭借600V的高耐压和8A的强电流处理能力，轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高压开关任务。

更关键的是，其极低的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽，寿命更长久。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的‘芯’脏。

• 制造商产品型号：STF8N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：449pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
• STF8N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。