我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGW80H65FB现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的开关器件吗？STGW80H65FB正是您的理想之选。这颗650V/120A的沟槽场截止IGBT，能轻松成为您工业电机驱动、光伏逆变器或UPS电源系统的核心动力，其低至2V的导通压降和优异的开关特性，直接帮助您降低系统损耗，提升整体能效。

它让您在设计高可靠性应用时更加从容。高达469W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保了它在严苛环境下依然稳定运行。TO-247经典封装兼容性强，便于您进行系统集成与散热管理。选择STGW80H65FB，就是选择了一个高效、可靠且经久耐用的解决方案，助您的产品在性能和成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:STGW80H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW80H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。