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还在为射频前端设计的功率与效率平衡而烦恼吗？让PD55025TR-E来为您解决！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为500MHz频段的高要求应用而优化，它能为您提供高达25W的强劲射频输出功率，同时保持14.5dB的优秀增益，让您的信号传输更远、更清晰。

它采用先进的PowerSO-10RF封装，散热性能卓越，配合40V的高额定电压和7A的电流能力，确保在严苛环境下也能稳定高效工作。无论是构建专业通信基站、工业射频系统，还是其他需要可靠射频放大的场景，PD55025TR-E都能让您的设计事半功倍，轻松实现高性能目标。

• 型号:PD55025TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:25W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD55025TR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。