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面对高达1700V的电压应用，您需要一颗既能扛住高压冲击，又能实现高效、快速开关的“心脏”。STW12N170K5正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh K5技术，让您在高压环境下，依然能享受到极低的导通电阻（仅2.9Ω @ 10V）与优化的栅极电荷，显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭太阳能逆变器、工业电源、电机驱动等高压场合。其5A的连续电流能力和稳健的TO-247封装，确保了强大的功率处理能力和出色的散热性能。同时，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）让您的产品设计无惧环境挑战，实现全天候可靠运行。选择STW12N170K5，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:STW12N170K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12N170K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。