我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI16N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松应对650V高压平台，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STI16N65M5正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有12A的强劲电流输送能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它集成了多项优化设计：较低的栅极电荷助力实现更快的开关频率，提升系统动态响应；优异的散热封装（I2PAK）确保高达90W的功率可安全耗散。这一切，都旨在让您轻松攻克能效挑战，在工业电源、充电器或PFC电路等应用中，构建出更紧凑、更可靠的下一代产品。

• 型号:STI16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:279 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。